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Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato
UNR211D00L

UNR211D00L

Panasonic
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Modello di prodotti:
UNR211D00L
Costruttore / Marca:
Panasonic
Descrizione del prodotto:
TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
Specifiche:
UNR211D00L.pdf
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
4999 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di UNR211D00L

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Modello di prodotti UNR211D00L fabbricante Panasonic
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4999 pcs stock Scheda dati UNR211D00L.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor PNP - Pre-Biased Contenitore dispositivo fornitore Mini3-G1
Serie - Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Resistor - Base (R1) 47 kOhms Potenza - Max 200mW
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi UN211D
UN211DCT
UN211DCT-ND
UNR211D00LCT
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 80MHz Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
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