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Prodotti a semiconduttore discreti
Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato
PDTD123TK,115

PDTD123TK,115

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NXP Semiconductors / Freescale
Modello di prodotti:
PDTD123TK,115
Costruttore / Marca:
NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione del prodotto:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3
Specifiche:
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
4044 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di PDTD123TK,115

NXP Semiconductors / Freescale
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Modello di prodotti PDTD123TK,115 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4044 pcs stock Scheda dati
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor NPN - Pre-Biased Contenitore dispositivo fornitore SMT3; MPAK
Serie - Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 250mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi 934059204115
PDTD123TK T/R
PDTD123TK T/R-ND
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA Numero di parte base PDTD123
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