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Transistor-FET, MOSFET-singolo
RK7002T116

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LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Modello di prodotti:
RK7002T116
Costruttore / Marca:
LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
Specifiche:
RK7002T116.pdf
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
4107 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di RK7002T116

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Modello di prodotti RK7002T116 fabbricante LAPIS Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4107 pcs stock Scheda dati RK7002T116.pdf
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 1mA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore SST3
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta) imballaggio Original-Reel®
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi RK7002T116DKR
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 60V Descrizione dettagliata N-Channel 60V 115mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SST3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Ta)  
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