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Transistor-FET, MOSFET-singolo
BSP135L6906HTSA1

BSP135L6906HTSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)
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International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
Modello di prodotti:
BSP135L6906HTSA1
Costruttore / Marca:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
Specifiche:
BSP135L6906HTSA1.pdf
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
5763 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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International Rectifier (Infineon Technologies)

Specifiche di BSP135L6906HTSA1

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
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Modello di prodotti BSP135L6906HTSA1 fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5763 pcs stock Scheda dati BSP135L6906HTSA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 94µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-SOT223-4
Serie SIPMOS® Rds On (max) a Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1.8W (Ta) imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-261-4, TO-261AA Altri nomi BSP135 L6906
BSP135 L6906-ND
BSP135L6906HTSA1TR
BSP135L6906XT
SP000089207
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 5V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET Depletion Mode
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120mA (Ta)
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