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Transistor-FET, MOSFET-singolo
SIHG25N40D-GE3

SIHG25N40D-GE3

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Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Modello di prodotti:
SIHG25N40D-GE3
Costruttore / Marca:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto:
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
Specifiche:
1.SIHG25N40D-GE3.pdf2.SIHG25N40D-GE3.pdf
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
49844 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di SIHG25N40D-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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Modello di prodotti SIHG25N40D-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 49844 pcs stock Scheda dati 1.SIHG25N40D-GE3.pdf2.SIHG25N40D-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 170 mOhm @ 13A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-247-3 temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1707pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 400V
Descrizione dettagliata N-Channel 400V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
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