Modello di prodotti | EPC2105 | fabbricante | EPC |
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Descrizione | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
quantità disponibile | 16253 pcs stock | Scheda dati | EPC2105.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | Contenitore dispositivo fornitore | Die |
Serie | eGaN® | Rds On (max) a Id, Vgs | 14.5 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V |
Potenza - Max | - | imballaggio | Original-Reel® |
Contenitore / involucro | Die | Altri nomi | 917-1185-6 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 14 Weeks |
Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | GaNFET (Gallium Nitride) | Tensione drain-source (Vdss) | 80V |
Descrizione dettagliata | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A, 38A |
FEDEX | www.FedEx.com | Da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
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DHL | www.DHL.com | Da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese. |
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