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Transistor-FET, MOSFET-singolo
SFT1423-E

SFT1423-E

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modello di prodotti:
SFT1423-E
Costruttore / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto:
MOSFET N-CH 500V 2A TP
Specifiche:
SFT1423-E.pdf
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
4291 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di SFT1423-E

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modello di prodotti SFT1423-E fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET N-CH 500V 2A TP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4291 pcs stock Scheda dati SFT1423-E.pdf
Vgs (th) (max) a Id - Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore TP
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 4.9 Ohm @ 1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 20W (Tc) imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 175pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8.7nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 500V Descrizione dettagliata N-Channel 500V 2A (Ta) 1W (Ta), 20W (Tc) Through Hole TP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
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