AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Modello di prodotti | NTD4855N-35G | fabbricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 14A IPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4007 pcs stock | Scheda dati | NTD4855N-35G.pdf |
| Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | I-PAK |
| Serie | - | Rds On (max) a Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) | imballaggio | Tube |
| Contenitore / involucro | TO-251-3 Stub Leads, IPak | temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2950pF @ 12V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32.7nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 25V | Descrizione dettagliata | N-Channel 25V 14A (Ta), 98A (Tc) 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta), 98A (Tc) | ||
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