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Prodotti a semiconduttore discreti
Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato
NSVMUN5314DW1T3G

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modello di prodotti:
NSVMUN5314DW1T3G
Costruttore / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto:
TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6
Specifiche:
NSVMUN5314DW1T3G.pdf
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
789849 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di NSVMUN5314DW1T3G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modello di prodotti NSVMUN5314DW1T3G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS NPN/PNP 50V BIPO SC88-6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 789849 pcs stock Scheda dati NSVMUN5314DW1T3G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Contenitore dispositivo fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie - Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Potenza - Max 250mW
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 40 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione - Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
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