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Transistor-bipolare (BJT)-singolo
KSB1151YSTU

KSB1151YSTU

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AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Modello di prodotti:
KSB1151YSTU
Costruttore / Marca:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto:
TRANS PNP 60V 5A TO-126
Specifiche:
KSB1151YSTU.pdf
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Condizione di scorta:
186876 pcs stock
Nave da:
Hong Kong
Modo di spedizione:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di KSB1151YSTU

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Modello di prodotti KSB1151YSTU fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione TRANS PNP 60V 5A TO-126 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 186876 pcs stock Scheda dati KSB1151YSTU.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 60V Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor PNP Contenitore dispositivo fornitore TO-126-3
Serie - Potenza - Max 1.3W
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3
temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Produttore tempi di consegna standard 18 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Frequenza - transizione -
Descrizione dettagliata Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3 Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 2A, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max) 10µA (ICBO) Corrente - collettore (Ic) (max) 5A
Numero di parte base KSB1151  
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